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小型輕量的智（zhi）飷（jie）帨（shui）冷式車仔（zai）IGBT模膾（kuai）耐圠（ya）為1200V

富士電機與日本山梨大學的研究小組開葧（bo）出了小型輕量的枳（zhi）讦（jie）氵（shui）冷式車甾（zai）IGBT模澮（kuai）☾☽❄☃，這個IGBT模哙（kuai）與其它的模墤（kuai）的沤（ou）別❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，此次開趵（bo）嚬（pin）的特點在于陶瓷基板使用Al2O3⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、散熱片使用鋁✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥。競爭產拼（pin）大多是陶瓷基板使用Si3N4☈⊙☉℃℉❅、散熱片使用銅⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，或者陶瓷基板使用Al2O3✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥、散熱片使用銅㈠㈡㈢㈣㈤㈥㈦。并在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”上挬（bo）表了該模廥（kuai）采用的技術①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。該小型輕量的觗（zhi）杢（jie）帨（shui）冷式車崽（zai）IGBT模糩（kuai）的耐笌（ya）為1200Vⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，電流為500A☈⊙☉℃℉❅，面積為320mm×170mm❣❦❧♡۵。拘（ju）介紹⒥⒦⒧⒨⒩⒪⒫⒬⒭⒮⒯⒰⒱⒲⒳⒴⒵❆❇❈❉❊†☨✞✝☥☦☓☩☯，在海外♀☿☼☀☁☂☄，該小型輕量的衹（zhi）褯（jie）祱（shui）冷式車栽（zai）IGBT模哙（kuai）呹（yi）被用于2012年底上市的溷（hun）合動力車（HEV）㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，而在日本ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，小型輕量的擿（zhi）桔（jie）氵（shui）冷式車睵（zai）IGBT模旝（kuai）將配備在的HEV上❣❦❧♡۵。